当真空磁控溅射镀膜的复兴与发展

真空磁控溅射镀膜的复兴与发展

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真空磁控溅射镀膜的复兴与发展来源:中国五金商机日期:溅射就是用荷能粒子（通常用惰性气体的正离子）去轰击固体（以下称靶材）表面，从而引起靶材表面上的原子（或分子）从其中逸出的一种现象。

溅射就是用荷能粒子（通常用惰性气体的正离子）去轰击固体（以下称靶材）表面，从而引起靶材表面上的原子（或分子）从其中逸出的一种现象。

      溅射就是用荷能粒子（通常用惰性气体的正离子）去轰击固体（以下称靶材）表面从而缩短实验时间，从而引起靶材表面上的原子（或分子）从其中逸出的一种现象。这一现象是格洛夫（Grove）于1842年在实验研究阴极腐蚀问题时，阴极材料被迁移到真空管壁上而发现的。真空镀膜机利用这种溅射方法在基体上沉积薄膜是1877年问世的。但是，利用这种方法沉积薄膜的初期存在着溅射速率低，成膜速度慢，并且必须在装置上设置高压和通入惰性气体等一系列问题。因此，发展缓慢险些被淘汰。只是在化学活性强的贵金属、难容金属、介质以及化合物等材料上得到了少量的应用。直到20世纪70年代，由于磁控溅射及时的出现，才使溅射镀膜得到了迅速的发展，开始走入了复兴的道路。这是因为磁控溅射法可以通过正交电磁场对电子的约束，增加了电子与气体分子的碰撞概率，这样不但降低了加在阴极上的电压，而且提高了正离子对靶阴极的溅射速率，减少了电子轰击基体的概率，从而降低了它的温度，即具备了“高速、低温”的两大特点。到了80年代，虽然他的出现仅仅十几年间，它就从实验室中脱颖而出，真正地进入了工业大生产的领域。而且，随着科学技术的进一步发展，近几年来在溅射镀膜领域中推出了离子束增强溅射，采用宽束强流离子源结合磁场调制，并与常规的二极溅射相结合组成了一种新的溅射模式。而且，又将中频交流电源引入到磁控溅射的靶源中。这种被称为孪生靶溅射的中频交流磁控溅射技术，不但消除了阳极的“消失”效应。而且，也解决了阴极的“中毒”问题，从而极大地提高了磁控溅射的稳定性。为化合物薄膜制备的工业化大生产提供了坚实的基础。近年来急速镀膜的复兴与发展已经作为人们炙手可热的一种新兴的薄膜制备技术而活跃在真空镀膜的技术领域中。

       汇成真空十多年来专业从事各种真空镀膜应用设备制造，其磁控溅射镀膜设备有以下几大特点：

1）膜厚可控性和重复性好。能够可靠的镀制预定厚度的薄膜，并且，溅射镀膜可以在较大的表面上获得厚度均匀的膜层；

2）薄膜与基片的附着力强。部分高能量的溅射原子产生不同程度的注入现象，在基片上形成一层溅射原子与基片原子相互溶合的伪扩散层；

3）制备特殊材料的薄膜，可以使用不同的材料同时溅射制备混合膜、化合膜，还可溅射成Ti加快电子商务的发展成为国内塑料5金产业应对经济全球化挑战、掌控发展主动权、提高国际竞争力的必定选择N仿金膜；4）膜层纯度高，溅射膜层中不会混入坩锅加热器材料的成份。

这标志着我国真空镀膜设备的制造技术以及控制技术处于世界领先水平！

真空磁控溅射镀膜机广泛应用于家电电器、钟表、灯具、工艺美术品、玩具、车灯反光罩、按键外壳以及仪器仪表、塑料、玻璃、陶瓷、磁砖等表面装饰性镀膜及工模具的功能涂层。所谓“溅射”就是用荷能粒子（通常用气体正离子）轰击物体，从而引起物体表面原子从母体中逸出的现象。早在1842年Grove在实验室中就发现了这种现象。磁控溅射靶采用静止电磁场，磁场为曲线形，均匀电场和对数电场则分别用于平面靶和同轴圆柱靶。电子在电场作用下，加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞。若电子具有足够的能量（约为30ev）时，则电离出Ar+并产生电子，电子飞向基片，Ar+在电场作用下，加速飞向阴极（溅射靶）并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。

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